cpbjt

0 ~ 50V 0 ~ 5000A Polycrystalline Silicon Stroumversuergung

Produkt beschreiwung:

Spezifikatioune:

Input Parameteren: 3 Phas, AC480V ± 10% ,60HZ

Ausgangsparameter: DC 0~50V 0~5000A

Ausgangsmodus: Gemeinsam DC Ausgang

Ofkillungsmethod: Loftkühlen / Waasserkühlen

Energieversuergung Typ: IGBT-baséiert

Applikatioun Industrie: Polycrystalline Silicon Reduktioun Uewen Drock a Reduktioun, Kristallsglas produzéiert Wuesstem

Produit Gréisst: 87 * 82.5 * 196cm

Net Gewiicht: 460 kg

Fonktioun

  • Input Parameteren

    Input Parameteren

    AC Input 480v ± 10% 3 Phase
  • Ausgangsparameter

    Ausgangsparameter

    DC 0~50V 0~5000A kontinuéierlech justierbar
  • Output Power

    Output Power

    250 kW
  • Cooling Method

    Cooling Method

    gezwongen Loft Ofkillung / Waasser Ofkillung
  • PLC Analog

    PLC Analog

    0-10V / 4-20mA / 0-5V
  • Interface

    Interface

    RS485/RS232
  • Kontroll Modus

    Kontroll Modus

    Fernsteuerung Design
  • Écran Display

    Écran Display

    digital Display
  • Multiple Schutz

    Multiple Schutz

    Mangel Phase Iwwerhëtzung Iwwerspannung Iwwerstroum kuerz Circuit
  • Kontroll Manéier

    Kontroll Manéier

    PLC / Mikrokontroller

Modell & Daten

Modell Zuel

Ausgang Ripple

Aktuell Display Präzisioun

Volt Display Präzisioun

CC / CV Präzisioun

Ramp-up a Rampen erof

Iwwerschoss

GKD50-5000CVC Ubidder VPP≤0,5% ≤10 mA ≤10 mV ≤10mA/10mV 0 ~ 99S No

Produit Uwendungen

Polysilicon ass eng Form vun elementarem Silizium.Wann geschmollte elementar Silizium solidifizéiert ënner der Bedingung vun der Supercooling, ginn Siliziumatome a vill Kristallkäre a Form vun engem Diamantgitter arrangéiert.Wann dës Kristallkäre wuessen a Käre mat verschiddene Kristallplane Orientatiounen, da kombinéiere dës Käre fir a polykristallin Silizium ze kristalliséieren.

 

kontaktéiert eis

(Dir kënnt och aloggen an automatesch ausfëllen.)

Schreift äre Message hei a schéckt en un eis